Navitas bekerjasama dengan Magnachip untuk melesenkan teknologi GeneSiC untuk peranti SiC voltan tinggi

• Navitas menjalin perkongsian strategik dengan Magnachip untuk mempercepat penggunaan semikonduktor kuasa silikon karbida voltan tinggi dan ultra tinggi.
• Magnachip akan melesenkan teknologi Planar GeneSiC Trench-Assisted Navitas yang meliputi platform voltan tinggi 1,200 V, 2,300 V, 3,300 V.
• Perjanjian termasuk akses kepada rantaian bekalan silikon karbida Navitas, ekosistem bahan untuk menyokong kemasukan pasaran yang lebih cepat.
• Teknologi dirancang untuk dipindahkan, layak, diinternalisasi di fab Korea Selatan Magnachip.
• Syarikat menandakan kerjasama yang lebih luas di luar silikon karbida, dengan bidang perkongsian tambahan yang akan diumumkan kemudian.

Penafian: Ringkasan berita ini dicipta oleh Public Technologies (PUBT) menggunakan kecerdasan buatan generatif. Walaupun PUBT berusaha untuk memberikan maklumat yang tepat dan tepat pada masanya, kandungan yang dihasilkan AI ini hanya untuk tujuan maklumat dan tidak boleh ditafsirkan sebagai nasihat kewangan, pelaburan atau undang-undang. Navitas Semiconductor Corporation menerbitkan kandungan asal yang digunakan untuk menghasilkan ringkas berita ini melalui GlobeNewswire (Ref. ID: 202607231630PRIMZONEFULLFEED9767129) pada 23 Jul ai 2026, dan bertanggungjawab sepenuhnya atas maklumat yang terkandung di dalamnya.