-+ 0.00%
-+ 0.00%
-+ 0.00%

Samsung Electronics, ASML mengembangkan kerjasama litografi High NA EUV

PUBT·09/08/2026 06:20:03
Samsung Electronics, ASML mengembangkan kerjasama litografi High NA EUV
  • Samsung Electronics memperluaskan perkongsian strategiknya dengan ASML untuk memperdalam kerjasama mengenai litografi High NA EUV untuk pembuatan cip generasi akan datang.
  • Samsung akan menyertai inisiatif industri untuk membangunkan platform fotomask 12 inci untuk High NA EUV, yang mensasarkan produktiviti yang lebih tinggi dan kos yang lebih rendah.
  • Rancangan memerlukan memperkenalkan High NA EUV ASML ke dalam pembuatan volum tinggi DRAM masa depan menjelang 2028, yang pertama untuk industri ini.


Penafian: Ringkasan berita ini dicipta oleh Public Technologies (PUBT) menggunakan kecerdasan buatan generatif. Walaupun PUBT berusaha untuk memberikan maklumat yang tepat dan tepat pada masanya, kandungan yang dihasilkan AI ini hanya untuk tujuan maklumat dan tidak boleh ditafsirkan sebagai nasihat kewangan, pelaburan atau undang-undang. Samsung Elektronik Co. Ltd. menerbitkan kandungan asal yang digunakan untuk menghasilkan ringkas berita ini pada 08 September 2026, dan bertanggungjawab sepenuhnya terhadap maklumat yang terkandung di dalamnya.